第三代半导体材料碳化硅(SiC)的时代或将迎来
2020.02.21 20:22 碳化硅概念股
券商研报显示,虽然学术界和产业界很早认识到SiC和GaN相对于传统Si材料的优点,但是由于制造设备、制造工艺与成本的劣势,多年来只是在小范围内得到应用,无法挑战Si基器件的统治地位,但是随着5G 、汽车等新市场出现,SiC/GaN不可替代的优势使得相关产品的研发与应用加速。
随着5G、物联网、自动驾驶等新兴应用有望扰动半导体竞争格局,半导体投资具有确定的长期投资价值,但是我国是半导体市场自给率较低,这也为我国半导体国产化提供了更多的机会,尤其是在贸易摩擦背景下,半导体国产替代需求日益坚定,而当下火热的科创浪潮也将成为半导体行业投资行情的核心驱动力。
目前碳化硅是发展第三代半导体产业的关键基础材料,碳化硅半导体材料在高温、高频、大功率、光电子以及抗辐射器件等方面具有巨大的应用潜力。目前导电型碳化硅衬底片材料主要应用于新能源汽车、充电站、太阳能逆变器等领域;半绝缘型碳化硅衬底片则主要应用于5G通讯基站、大功率相控阵雷达、卫星通讯等领域。
得碳化硅者得天下
华创证券认为,“得碳化硅者得天下”。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料,综合性能较硅材料可提升上千倍,被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”,是光电子和微电子等产业的“新发动机”。碳化硅材料实现量产后,将打破国外垄断,推动国内5G芯片技术和生产能力的提升。
但从差距上看,我国在碳化硅领域还没有形成完整的产业,国内市场上大部分碳化硅功率器件依赖进口,形成国际大厂垄断局面。
中泰证券认为,虽然学术界和产业界很早认识到SiC和GaN相对于传统Si材料的优点,但是由于制造设备、制造工艺与成本的劣势,多年来只是在小范围内得到应用,无法挑战Si基器件的统治地位,但是随着5G 、汽车等新市场出现,SiC/GaN不可替代的优势使得相关产品的研发与应用加速;随着制备技术的进步, SiC 与 GaN 器件与模块在成本上已经可以纳入备选方案内,需求拉动叠加成本降低,SiC/GaN的时代即将迎来。
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